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本次活动已经圆满结束。感谢您的关注和参与。
直播简介
今年 3 月，英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到 2000V 的碳化硅分立器件，全面开启碳化硅 2000V 的时代。最新的 2000V CoolSiC™ MOSFET 采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装，爬电距离为 14mm，电气间隙为 5.4mm。作为英飞凌的创新产品，其在直流母线电压表现抢眼，能为 1500 VDC 系统的过压提供更高的裕量。
英飞凌 IPAC “CoolSiC™ 碳化硅直播季” 去年一经上线，备受好评！5 月 14 日 14:00，今年的碳化硅季正式回归，首期话题将为您揭开 CoolSiC™ MOSFET 2000V 的神秘面纱：
- 增强型 M1H CoolSiC™ MOSFET 技术带来哪些产品优势？
- 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点？
- 如何应对 2000V CoolSiC™ MOSFET 的驱动挑战？
- 2000V CoolSiC™ MOSFET 在应用设计时需要关注哪些设计难点？
锁定碳化硅季未来几期，更多福利/惊喜将在直播间呈现：CoolSiC™ MOSFET 2000V 产品评估板首次公开发布售卖，栅极驱动器重点知识讲解，储能方面的应用……
嘉宾介绍
波老师：IPAC 常驻主持
沈嵩：碳化硅资深专家 ， 具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识
赵佳：碳化硅资深专家 ， 长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持