高耐压1700V CoolSiC™ MOSFET可分立封装！
1700V CoolSiC™ MOSFET 简介
1700V CoolSiC™ MOSFET 是英飞凌推出的第一个 1700V SiC MOSFET 产品组合，针对三相电源转换系统的控制逻辑、显示器和冷却风扇发电的辅助电源电路。工业领域推行实践这种低功率应用 (单端返驰拓扑结构) ，输入电压目前可实现高达 1000V DC。
1700V 阻断电压消除了设计上针对电压应力容限，以及电源供应器可靠性方面的疑虑。与 1500V Si MOSFET相比，SiC MOSFET 技术的导通电阻和器件容量更低，从而使功率损耗降低了 50% 以上，并支持采用无散热器，自然对流冷却的紧凑 SMD 集成。
1700V CoolSiC™ MOSFET 特征
- 英飞凌的 CoolSiC™ 沟槽技术，具有卓越的栅极氧化层可靠性
- 将 SMD 集成到 PCB，使用自然对流冷却方式，不需要额外的散热器
- 反激式拓扑结构，使用与一般 PWM 控制器兼容的 +12V/0V 闸极源极电压
- 由于延长了封装的爬电距离和空间距离，减少了绝缘工作
- 在 1700V 转换器中具有最低的器件电容和栅极电荷
什么是 CoolSiC™MOSFET 系列？
CoolSiC™ MOSFET 非常适合于硬开关和谐振开关拓扑，以及功率因数校正 (PFC) 电路、双向拓扑、直流/直流转换器和直流/交流逆变器等。 即使桥拓扑的关断电压为 0V 时，出色的抗寄生干扰效应也可在低动态损耗方面树立标杆。 英飞凌 TO 和 SMD 封装产品还包括用于优化开关性能的开尔文 (Kelvin) 源引脚。
1700V CoolSiC™ MOSFET 规格
| 参数 | 封装 |
| RDS (on) | TO-263-7 D²PAK-7 |
| 导通电阻规格 | 产品型号 |
| 1000mΩ | IMBF170R1K0M1 |
| 650mΩ | IMBF170R650M1 |
| 450mΩ | IMBF170R450M1 |
补充说明：
封装可选择不同的导通电阻规格，或任一封装。
目标应用
- 太阳能发电系统解决方案
- 工业驱动
- 储能系统
- 开关电源
- 电动汽车快速充电
- 电源管理 (SMPS)