DC-DC中常用的电流检测方式介绍
电源作为所有电子产品不可或缺的部分，起着非常重要的作用。如何提高功率密度以及产品功能特性(例如EMC、保护性能等)，成为不少半导体厂商需解决的问题。而近些年来，电子产品爆炸，起火等安全问题时有出现，电源安全也需要引起人们的高度重视。电源的保护特性，往往离不开电流电压检测的方式。
本文旨在介绍DC-DC(非特大功率应用)中几种比较常用的电流检测方式及其优点和缺点，当中包括三种DC-DC中比较常用的电流检测方式：
- Rsense电阻检测
- 电感DCR检测
- Mosfet Rdson检测
常用电流检测方式介绍
方式一: Rsense电阻检测
采用Rsense电阻检测的优点是合金电阻可以把温度系数降低到1PPM/℃。在高低温(比如-40℃到85℃或者125℃)的变化之下，电流检测出来的结果不会相差太大。
但缺点是合金电阻会带来一部分的损耗，同时对于输出大电流的应用(20A/30A)而言，每一个毫欧都能带来0.4W/0.9W的损耗，因此有时候需要多个合金电阻并联，此时会增加整个电源的面积。
如下图1是LTC7803方案使用Rsense电阻进行电流检测，对于输出电流I来说，则有检测的输出信号等于CF两端的电压Vcf，根据传递公式如下:
公式中，Rsense+S*ESL是整个检测电阻两端的电压(S=jw), 
是整个电压在电容Cf上的阻抗值。当Rf*Cf=ESL/Rsense的时候，带入可以求得Vcf=I*Rsense，这也是为什么很多电源参考设计都会加入一些RC的网络。
方式二: 电感DCR检测
采用DCR检测的优点是可以减小损耗，增加电源的效率。
缺点是电感的DCR温度系数一般是正温度系数，大约3900PPM/℃的变化率(如果是100℃温度的变化，就有39%的电流采样误差)。因此在高低温的环境下，可以直观地发现电源过流保护的保护点相差很大，如果需要抵消温度带来的影响，则需要增加温度补偿电路。
图2是LTC7803采用电感DCR去进行检测，对于输出电流I来说，检测的信号电压等于C1//R2之后两端的电压(也有的DCR采样部分是没有R2这个电阻)，根据传递公式可以得Vc1:
当(R1//R2)*C1=L/DCR时，Vc1=I*DCR*R2/(R1+R2)。
这个传递函数是没有考虑DCR随温度变化的因素，假设温度升高，DCR增大，Vc1增大，但是门限不变，那么对应的过流保护点就会变小。
一些多相的设计会采用温度补偿电路去匹配，譬如比如NTC电路 (可以参考Intersil的ISL6334)，但是此时需要注意NTC电阻的放置的位置(需要尽量靠近电感放置)，另外选择NTC电阻的B值也要尽量去匹配电路。另外，也可以使用到采用图3，LTM4664 Module等类似的PSM电源方案，内部有2路的温度采样点(对应两路输出)，用内部的ADC去采样，由于功能全部集成，可以把温度采样点尽量接近电感。
方式三: Mosfet Rdson检测
对于一部分集成Mosfet的DC-DC驱动器而言，由于是内部集成的Mosfet，可以知道其导通的电阻Rdson，则可以采样Rdson上的电压去计算管子上流过的电流。该检测的优点是集成方便，同时可以把方案的体积做小型点。
缺点就是Rdson也是正温度系数，而且Rdson不可能做到完全一致，因此过流保护点也会在一个范围内波动，如图4的LT8610的内部框图和图5的电气特性表。
总结
本文主要介绍了三种DC-DC中比较常用的电流检测方式：Rsense电阻检测、电感DCR检测和Mosfet Rdson检测。此外，一些大电流的应用会采用霍尔检测电流去提高效率，来实现检测隔离；而一些新兴的产品会采用电流镜的方式去检测电流。 ADI-LT电源数据手册提供了详细的方案以及应用介绍，包括计算公式，实现的拓扑方式，以及布局Layout上的注意事项，是大家学习提升的好帮手。
参考资料