瑞萨 RH850/F1KM-S4 是 RH850/F1x 系列中的一组单芯片微控制器，专为汽车车身电气应用而设计，其具有功耗低，内部闪存范围 3MB-4MB，封装 100-272 引脚不等。此外，所有产品都增加了 CAN FD 和以太网接口以及硬件安全模块，CPU 工作频率也提高到 240MHz。接下来将通过某汽车客户在实际应用中遇到的网关软件问题案例，为大家介绍瑞萨 RH850 启动时间加快解决方案。

问题描述

客户反馈 F1KM-S4 (R7F701649) 软件启动时间在 RAM 清零时，占用时间超长，从 MCU 上电到软件进入 main 函数约 65ms；终端客户设备启动后需在 200ms 以内加入到 CAN 网络中；客户尝试在 startup 启动文件中去除 RAM 清零动作，但设备在断开调试器后设备无法正常工作。下图为客户实测 MCU 启动波形：

问题排查及解决方案

一、利用客户代码使用 CS+ 调试实测，发现 MCU 由 RESET 到 main 函数时间为 68ms，基本与客户示波器波形时间一致。

二、分析 startup.850 文件，MCU 启动基本有如下图所示 7 个步骤，同时在启动步骤中也没有发现任何异常。

三、单步调试定位耗时代码，确定耗时在 RAM 清零部分。

四、查阅芯片手册对于 RAM 描述，发现 RAM 在读写是与 CPU 时钟有密切关系，如下图所示：

五、依据芯片手册描述，分析 startup 启动文件。从而在步骤 6 代码解析中发现跳转硬件初始化描述，并且检查在 __lowinit 函数中只对休眠保留 RAM 是否进行清零操作，并没有实际硬件初始化动作。由于 RAM 读写是与 CPU 时钟有关，且在启动步骤 1 到 6 并没有进行时钟初始化动作，故 CPU 时钟使用内部低速默认时钟，从而影响到 RAM 读写时间。

六、增加 __lowinit 初始化 CPU 时钟相关代码。

七、修改验证。修改后 RAM 清零时间约为 5.4ms，比原来快 10 倍左右。

总结

根据上述的客户案例问题解析，可以得出以下几点经验：

1. 根据手册 RAM 说明分析，RAM 读写时间是根据 CPU 时钟确定的；
2. RH850 带有 RAM ECC 功能，客户在做功能安全相关时需要进行 RAM ECC 检测，stratup 时必须将 RAM 清零防止 ECC 错误发生，故启动时需要将 RAM 清零不能去掉此部份代码；
3. 软件在 startup 启动阶段未加入 CPU 时钟初始化动作，导致 RAM 清零耗时过长；
4. 在 startup 阶段加入 CPU 时钟初始化，也符合 startup 中 lowinit 规则，此方式修改不影响软件其他功能。

本文主要介绍了瑞萨 RH850 启动时间加快解决方案，另外 RH850 U2A 系列 MCU，也可以参考此方案进行优化。 欲了解更多瑞萨相关方案或技术信息，可点击下方「联系我们」，提交您的需求，澳门人巴黎人1797公司愿意为您提供更详细的技术解答。