Infineon 英飞凌
英飞凌新品 | 采用 IGBT7 的 CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能 CIPOS™ Maxi 转模封装 IPM IM12BxxxC1 系列基于新型 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 和快速二极管 Emcon 7 技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片,该产品具有卓越的控制能力和性能,这大大降低了损耗,提高了效率,并增加了功率密度。产品组合包括从 10A,15A 和 20A 三种新产品。
高性能 CIPOS™ Maxi 转模封装 IPM IM12BxxxC1 系列基于新型 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 和快速二极管 Emcon 7 技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片,该产品具有卓越的控制能力和性能,这大大降低了损耗,提高了效率,并增加了功率密度。产品组合包括从 10A,15A 和 20A 三种新产品。
该 IPM 是 1200V 等级中最小、最紧凑的封装,额定功率超过 4kW,具有出色的功率密度、可靠性和性能。它具有出色的保护功能,例如欠压保护和低压保护,所有通道电压锁定、保护期间所有开关关闭、防止交叉导通、过流保护、温度监控。
英飞凌新品 | 900A 1700V Wave 基板的 EconoDUAL™ 3 IGBT7 模块
英飞凌 EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11 基板采用 Wave 波浪结构,针对开放式液冷散热器应用进行了优化,以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。目前的 EconoDUAL™ 3 Wave 产品组合新增了 1700V 电压等级的 900A 模块。
英飞凌推出业界首款符合太空标准的并行接口1 Mb 和 2 Mb F-RAM,扩大其抗辐射存储器产品组合
太空应用是英飞凌科技股份公司的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等,即便在极端恶劣的条件下,这些应用也必须具备出色的可靠性。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射 (rad hard) 1 Mb 和 2 Mb 并行接口铁电 RAM (F-RAM) 非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在 85 摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
英飞凌发布新一代 PSOC™ Edge 产品组合,为物联网、消费和工业应用提供强大的 AI 功能
英飞凌科技股份公司发布全新 PSOC™ Edge 微控制器 (MCU) 系列的详细信息,该系列产品的设计针对机器学习 (ML) 应用进行了优化。新推出的 PSOC™ Edge MCU 三个系列 E81、E83 和 E84 在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件,使开发人员能够快速将概念转化为产品,并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。
英飞凌 IPAC 直播间 | CoolSiC™ 碳化硅直播季 - 迎接碳化硅 2000V 时代
英飞凌新品 | 1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP™2 .xt模块
大功率牵引和风力发电应用需要高鲁棒性,高可靠性和使用寿命长的功率器件。采用 IGBT5 和 .XT 技术的 XHP™ 2 模块可以满足这些要求。IGBT5 可实现更高的功率密度,而 .XT 互联技术则可通过提高温度循环和功率循环周次来延长使用寿命。
相关器件: